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【德國(guó)西門(mén)康可控硅】可控硅簡(jiǎn)介


    上海秦邦電子科技有限公司專(zhuān)注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門(mén)康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • 可控硅模塊

    特性。通過(guò)用萬(wàn)用表檢測(cè)其正、反向電阻值,可以判別出二極管的電極,還可估測(cè)出二極管是否損壞。1.極性的判別將萬(wàn)用表置于R×100檔或R×1k檔,兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極,測(cè)出一個(gè)結(jié)果后,對(duì)調(diào)兩表筆,再測(cè)出一個(gè)結(jié)果。兩次測(cè)量的結(jié)果中,有一次測(cè)量出的阻值較大(為反向電阻),一次測(cè)量出的阻值較?。檎螂娮瑁?。在阻值較小的一次測(cè)量中,黑表筆接的是二極管的正極,紅表筆接的是二極管的負(fù)極。2.單負(fù)導(dǎo)電性能

  • 晶閘管的種類(lèi)、特點(diǎn)及用途

    晶閘管由硅單晶材料制成PN三端組件具有單向?qū)ㄐ浴㈦妷汉碗娏骺刂?、小?qū)動(dòng)(毫安級(jí))控制大功率負(fù)載。由于其特點(diǎn),常用于可控整流、逆變器、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)、交流壓力調(diào)節(jié)等方面。除了普通的晶閘管外,由于不同場(chǎng)合的使用要求,還產(chǎn)生了各種類(lèi)型的晶閘管。普通晶閘管1.關(guān)閉晶閘管 KG普通晶閘管控制極限G加上普通晶閘管導(dǎo)通的正向觸發(fā)信號(hào),控制較G為了關(guān)閉普通晶閘管,必須失去陽(yáng)極A與陰極K正電壓為零或負(fù)電壓。只要控制較

  • SKiiP智能Mini迷你IGBT模塊設(shè)計(jì)特點(diǎn)?

    MiniSKiiP產(chǎn)品的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是在負(fù)載和門(mén)較端子中使用易于裝配且便于維護(hù)的彈簧連接。相較于需要昂貴的焊接設(shè)備、焊接過(guò)程費(fèi)時(shí)的傳統(tǒng)焊接模塊,MiniSKiiP組裝*任何特殊工具,僅使用一到兩個(gè)螺絲連接,一步便可組裝好印刷電路板(PCB)、功率模塊和散熱片。圖1:MiniSKiiP裝配示意圖圖2:MiniSKiiP系列封裝MiniSKiiP可以提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的所有拓?fù)?,如CIB(變流器-逆變器-

  • 【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡(jiǎn)介

    IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上

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