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新材料氮化硅 信息: 氮化硅陶瓷強(qiáng)度高,韌性好,是較好的陶瓷材料之一 氮化硅陶瓷強(qiáng)度高,韌性好,是較好的陶瓷材料之一 氮化硅陶瓷有高的電阻率,高的介電常數(shù),低的介質(zhì)損耗, 氮化硅陶瓷有高的電阻率,高的介電常數(shù),低的介質(zhì)損耗, 可用作電路基片,高溫絕緣體,電容器,雷達(dá)天線等 可用作電路基片,高溫絕緣體,電容器,雷達(dá)天線等 氮化硅有優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性 氮化硅有優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性 氮化硅硬度高, 氮化硅硬度
氮化硅是新型無機(jī)非金屬材料 作者:氮化硅 日期:2019-02-02 23:28:03 人氣:24950 企業(yè)新聞: 氮化硅晶須的加入對(duì)試樣的氣孔率沒有基本上沒有影 響, 試樣的氣孔率都大約在60% 晶須在試樣內(nèi)呈無序分布, 在其表面上有氮化硅絮狀物 生成這些反應(yīng)生成的絮狀物與晶須的結(jié)合界面不緊密, 容易存在微觀缺陷 隨著晶須含量的增加, 試樣的介電常數(shù)與介電損耗都上 升, 且有損耗峰的出現(xiàn), 試
氮化硅新型無機(jī)非金屬陶瓷材料 作者:杭州瑞目特 日期:2019-02-08 16:21:09 人氣:8502 較新信息: 以不同含量的YF3和MgO作為燒結(jié)助劑,對(duì)Si3N4進(jìn)行熱壓燒結(jié), 研究了燒結(jié)助劑含量對(duì)氮化硅陶瓷的相對(duì)密度、燒結(jié)反應(yīng)、稀土 元素分布以及硬度、強(qiáng)度和斷裂韌性等力學(xué)性能的影響實(shí)驗(yàn)結(jié) 果表明,僅添加YF3的樣品生成了YSiON四元化合物,而同時(shí)添加 MgO的樣品生成MgYSiO
氮化硅(si3n4)是一種優(yōu)良耐高溫陶瓷材料 作者:杭州瑞目特 日期:2019-02-15 13:46:34 人氣:59534 近日新聞: 顆粒彌散增韌是在Si 3N 4陶瓷中加入一定粒度的、具有高彈性模量的顆粒,如SiC 、TiC 、TiN 等,在材料斷裂時(shí)促使裂紋發(fā)生偏轉(zhuǎn)和分叉,消耗斷裂能,從而提高氮化硅陶瓷韌性的方法近年來人們對(duì)引入*二相粒子彌散增韌Si 3N 4復(fù)合材料進(jìn)行了較多的研究,該
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地 址: 浙江杭州蕭山區(qū)蕭山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)
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