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富士IGBT模塊概述富士IGBT模塊作為電力電子領域的核心功率器件,由全球知名半導體制造商富士電機傾力打造,憑借其卓越的性能和可靠性,已成為工業(yè)自動化、新能源發(fā)電、軌道交通等領域的首選產(chǎn)品。作為一家專業(yè)代理國際知名功率器件的企業(yè),我們深知富士IGBT模塊在客戶項目中的關鍵作用,因此特別整理了這份選型指南,幫助蘇州及周邊地區(qū)的客戶更高效地選擇適合自身需求的富士IGBT模塊。富士IGBT模塊的技術優(yōu)
斷路器,俗稱"空氣開關",也是一種短路保護器,當過流時,它會自動跳閘,起到保護作用;熔斷器、斷路器都是保護電器。但它們不是一樣.斷路器是總稱,它分為兩種——框架式斷路器和塑料外殼式斷路器??蚣苁綌嗦菲魉追Q萬能斷路器;塑料外殼式斷路器俗稱空氣開頭。他們具有短路和過載保護,可重復使用。壽命一般在幾千次到幾萬次。熔斷器是靠熔體熔化保護線路的一種電器,不可重復使用。保護以后需要更換熔體。他們相同點是都能實
薄膜電容器是一種以金屬箔當電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而聚丙烯的薄膜電容它吸收系數(shù)很小,容量及損耗角正切tg σ隨溫度變化很小,介電強度隨溫度上升有所增加,這是他的一種特點,這是其他電容器難以擁有的。那什么是它的吸收系數(shù)呢?這是用來形容薄膜電容器電介質(zhì)吸收現(xiàn)象的數(shù)值,我們稱之為吸收系數(shù),這是和電介質(zhì)、電介質(zhì)的極化和電容器的吸收
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯(lián)系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機: 18962647678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號
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