汽車前大燈方案芯片OC5031B、OC5221

時間：2024-06-29作者：久宇盛電子（深圳）有限公司瀏覽：87

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  詞條說明

• 電動車音箱芯片，電動車音箱pcba電路板芯片，OC58650

  OC58650是一款支持寬電壓輸入的開關降壓型DC-DC轉換器，較高輸入電壓可達100V。它具有低待機功耗、高效率、低紋波以及優(yōu)異的母線電壓調整率和負載調整率等特性。這款芯片支持大電流輸出，輸出電流可達2A以上，并且通過設置FB引腳的分壓電阻，可以方便地設置輸出恒壓值。此外，OC58650采用固定頻率的PWM控制方式，輕載時會進入跳周期模式以提高轉換效率。它還內置了軟啟動以及過溫保護電路，輸出短路

• 30w氮化鎵，氮化鎵車充-久宇盛電子

  30W氮化鎵充電器和氮化鎵車充都采用了氮化鎵（GaN）這種**的半導體材料。氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率和耐高溫性能，使得氮化鎵充電器能夠在保持高效能量轉換的同時，實現(xiàn)較小巧的體積和較穩(wěn)定的性能。 30W氮化鎵充電器通常具備單USB-C接口，支持多種電壓檔位和PPS快充輸出，滿足主流手機和筆記本電腦的充電需求。其固定插腳和小巧的體積使得攜帶和使用都非常方便。在實際使用中，30W氮化鎵充電器能夠提供穩(wěn)

• 小家電方案CR3215A，內置650V高雪崩能力功率MOS

  方案CR3215A中的內置650V高雪崩能力功率MOS是一種高性能的電子元件，具有以下特點：* 650V高電壓，可以承受較高的電壓，因此具有較高的功率輸出能力。* 內置高雪崩能力，可以承受較高的電流，并且在發(fā)生雪崩時不會損壞，提高了電路的穩(wěn)定性和可靠性。* 內置MOS的開關速度非常快，可以實現(xiàn)高效率的轉換，減少了能量損失，因此是一種理想的功率半導體器件。該MOS還具有體積小、耐高溫、可靠性高等優(yōu)點

• 90w氮化鎵，氮化鎵快充-久宇盛電子

  氮化鎵（GaN）是一種新型半導體材料，它具有高電子遷移率、高擊穿電場和低導通電阻等出色的物理特性。這些特性使得氮化鎵在制造高效能、高功率密度的電子器件方面有著巨大的潛力。 那么，當?shù)墤糜诳斐浼夹g時，它就可以幫助實現(xiàn)較高的充電功率和較快的充電速度。與傳統(tǒng)的硅基充電器相比，氮化鎵充電器能夠在相同體積和重量下提供較高的充電功率，同時還具有較高的能量轉換效率和較低的發(fā)熱量。 至于90W氮化鎵快充，它