CMOS密碼忘了怎么辦？

時(shí)間：2022-12-07作者：深圳海木芯科技有限公司瀏覽：225

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  詞條說明

• MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系

  1 MEMS 比 CMOS 的復(fù)雜之處MEMS 與 CMOS的根本區(qū)別在于：MEMS 是帶活動(dòng)部件的三維器件，CMOS 是二維器件。因此，雖然許多刻蝕和沉積工藝相似，但某些工藝是 MEMS *有的，例如失效機(jī)理。舉個(gè)例子，由于 CMOS 器件沒有活動(dòng)部件，因此不需要釋放工藝。正因?yàn)槿绱?，?dāng)活動(dòng)部件“粘”在表面上，導(dǎo)致設(shè)備故障時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生靜摩擦，CMOS 沒有這種問題。CMOS 器件是在硅材料上逐層

• 小課堂之CMOS芯片檢測

  眾所周知，隨著手機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展，在過去幾年中，智能手機(jī)上功能和技術(shù)增長較快的是手機(jī)攝影功能，尤其是似乎像參與了手機(jī)攝影比賽一般的國產(chǎn)手機(jī)，一直高掛在DXO榜單上。映射到手機(jī)上表現(xiàn)為攝像頭的數(shù)量不斷增加，像素不斷加高，這點(diǎn)讓CMOS制造商口袋飽飽。例如，由于CMOS芯片的巨大銷售量，索尼**進(jìn)入了世界前15大半導(dǎo)體市場，當(dāng)然，這背后的國產(chǎn)機(jī)功勞功不可沒。CMOS是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的縮寫。它是指

• SOI CMOS結(jié)構(gòu)和工藝

  常規(guī)的CMOS結(jié)構(gòu)中，電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結(jié)構(gòu)。當(dāng)SCR被觸發(fā)時(shí)，電源到地之間存在低阻通道，引起較大電流，破壞電路工作甚至燒毀電路，這就是閂鎖效應(yīng) (Latch-up)。為避免閂鎖效應(yīng)，早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術(shù)制作CMOS電路，即在藍(lán)寶石絕緣襯底上外延硅，之后制作器件，這就有效的避免MOS管的源、漏區(qū)和襯底之間形成PN結(jié)。但是，藍(lán)寶石價(jià)格昂

• CCD 與CMOS 圖像傳感器區(qū)別在哪里？

  1、 成像過程 CCD 與CMOS 圖像傳感器光電轉(zhuǎn)換的原理相同，他們較主要的差別在于信號的讀出過程不同；由于CCD僅有一個(gè)（或少數(shù)幾個(gè)）輸出節(jié)點(diǎn)統(tǒng)一讀出，其信號輸出的一致性非常好；而CMOS 芯片中，每個(gè)像素都有各自的信號放大器，各自進(jìn)行電荷-電壓的轉(zhuǎn)換，其信號輸出的一致性較差。但是CCD 為了讀出整幅圖像信號，要求輸出放大器的信號帶寬較寬，而在CMOS 芯片中，每個(gè)像元中的放大器的帶寬要求較低