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詞條說明
1、特點(diǎn)不同發(fā)光二極管相較于普通二極管具有體積小、色彩艷麗、耗電低、發(fā)光效率高、響應(yīng)速度快、耐振動和使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)。2、用途不同發(fā)光二極管:發(fā)光二極管在現(xiàn)代社會具有廣泛的用途,如照明、平板顯示、醫(yī)療器件等。普通二極管:主要用于家用電器、工業(yè)控制電路等。3、作用特點(diǎn)不同發(fā)光二極管:通過電子與空穴復(fù)合釋放能量發(fā)光,它在照明領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,發(fā)光二極管可高效地將電能轉(zhuǎn)化為光能。普通二極管:利用二極管和電阻
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模
IG是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙較型晶體管)的縮寫,IG是由MOSFET和雙較型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入較為MOSFET,輸出較為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),
電子用品中的應(yīng)用發(fā)光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應(yīng)用。從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機(jī)等的顯示屏都將發(fā)光二極管用作屏背光源。汽車以及大型機(jī)械中的應(yīng)用發(fā)光二極管在汽車以及大型機(jī)械中得到廣泛應(yīng)用。汽車以及大型機(jī)械設(shè)備中的方向燈、車內(nèi)照明、機(jī)械設(shè)備儀表照明、大前燈、轉(zhuǎn)向燈、剎車燈、尾燈等都運(yùn)用了發(fā)光二極管。主要是因?yàn)榘l(fā)光二極管的響應(yīng)快、使用壽命長(一般發(fā)
公司名: 上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人: 蔣艷
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地 址: 上海浦東自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)芳春路400號1幢3層
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