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國芯思辰|中微愛芯線性鋰電池充電器AIP4054 SOT23-5用于追蹤器上,無需外設(shè)MOSFET和阻塞二極管


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  • 國芯思辰|肖特基二極管B1D02065K助力醫(yī)療設(shè)備電源功率密度的提升

    在嚴(yán)格醫(yī)療要求的設(shè)備中,電源的設(shè)計電不僅要達(dá)到理想的效率,同時盡可能保持小巧緊湊,且必須滿足IEC60601-1的嚴(yán)格要求和一系列的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),旨在確保醫(yī)療電氣設(shè)備的安全性和性能。本文主要介紹基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D02065K用于嚴(yán)格的醫(yī)療設(shè)備中,B1D02065K優(yōu)越的性能和較高的工作效率是電源設(shè)計的可以選擇產(chǎn)品。碳化硅肖特基二極管B1D02065K碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的

  • 國芯思辰|基本半導(dǎo)體碳化硅MOS B1M080120HK助力光伏逆變器升壓電路設(shè)計

    如下圖為典型的光伏逆變器框圖。該光伏逆變器設(shè)計主要由BOOST電路和逆變電路組成。BOOST電路的功率器件通常選擇IGBT單管和SiC二極管搭配使用。為了提高功率密度,需要BOOST開關(guān)頻率越高,因為這樣可以降低BOOST電感體積,提高功率密度,由于IGBT的開關(guān)頻率受制于開關(guān)速度和拖尾電流等因素,其開關(guān)頻率一般不**過20kHz,如果開關(guān)頻率過高的話,會導(dǎo)致開關(guān)損耗太大,發(fā)熱量劇增而損壞。因此,要

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  • 國芯思辰|以海速芯8位MCU TM52F1376為主控實現(xiàn)的直發(fā)器設(shè)計方案

    直發(fā)器是一種通過發(fā)熱元件把頭發(fā)加熱,軟化,然后再冷卻,以達(dá)到直發(fā)目的的生活電器,下圖是直發(fā)器的原理框圖:該類設(shè)備可采用國產(chǎn)海速芯8位MCU TM52F1376為主控, 該MCU支持工業(yè)級工作溫度范圍-40~+85℃,工作電壓范圍2.2~5.5V電源電壓,也被廣泛應(yīng)用于空氣凈化器、測量儀器等。TM52F1376應(yīng)用于直發(fā)器有如下應(yīng)用優(yōu)勢:1、8051內(nèi)核,主頻18MHz,同時內(nèi)置16字節(jié)的Flash

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