STC單片機的特性及缺點解析

時間：2022-10-03作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：505

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

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  詞條說明

• 臺灣STANSON原廠現(xiàn)貨STN4438 SOP-8 N60V 8.5A 應(yīng)用于風(fēng)扇

  STANSON 原廠STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述STN4438是N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，如電源管理和其他高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫歐（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A

• MOS管STN2610 參數(shù) N60V 50A 應(yīng)用于電子測量儀器 原廠庫存足 交貨快

  STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負載開關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設(shè)計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力to-25

• STANSON原廠現(xiàn)貨STP4435參數(shù)P30V 10A用于車燈 可替代Si9804、AO4419

  STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以

• STANSON 原廠STC4614中文資料PDF 數(shù)據(jù)規(guī)格書

  STC4614可替代其它：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產(chǎn)品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本