熔斷器的特點(diǎn)

時(shí)間：2022-09-24作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司瀏覽：319

上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司專(zhuān)注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 怎么選擇熔斷器？

  1.根據(jù)不同的使用場(chǎng)景和參數(shù)確定當(dāng)熔斷器的保護(hù)對(duì)象不同時(shí)，熔斷器的類(lèi)型選擇也不一樣，比如，對(duì)于容量較小的照明線路或者小功率電機(jī)的保護(hù)，宜采用RC1A系列插入式熔斷器，因?yàn)槿垠w的熔化系數(shù)較小有利于電路的過(guò)電流保護(hù)。與之相反，對(duì)于大容量電路或大功率電器的保護(hù)，則要在安裝熔斷器的基礎(chǔ)上，加裝其它過(guò)電流保護(hù)裝置。如果碰到預(yù)期短路電流較大的電路或易燃?xì)怏w的場(chǎng)合，可以考慮選擇具備高分?jǐn)嗄芰Φ腞L系列螺旋式熔斷

• IGBT模塊是什么？

  IG是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙較型晶體管）的縮寫(xiě)，IG是由MOSFET和雙較型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入較為MOSFET，輸出較為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，

• 熔斷器的使用注意事項(xiàng)

  (1) 熔斷器使用注意事項(xiàng)：①熔斷器的保護(hù)特性應(yīng)與被保護(hù)對(duì)象的過(guò)載特性相適應(yīng)，考慮到可能出現(xiàn)的短路電流，選用相應(yīng)分?jǐn)嗄芰Φ娜蹟嗥?。②熔斷器的額定電壓要適應(yīng)線路電壓等級(jí)，熔斷器的額定電流要大于或等于熔體額定電流。③線路中各級(jí)熔斷器熔體額定電流要相應(yīng)配合，保持**級(jí)熔體額定電流必須大于下一級(jí)熔體額定電流。④熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體，不允許隨意加大熔體或用其他導(dǎo)體代替熔體。(2) 熔斷器巡視

• 熔斷器選擇的原則？

  1、根據(jù)線路要求和安裝條件選擇熔斷器的型號(hào)。容量小的電路選擇半封閉式或無(wú)填料封閉式；短路電流大的選擇有填料封閉式；半導(dǎo)體元件保護(hù)選擇快速熔斷器。2、根據(jù)負(fù)載特性選擇熔斷器的額定電流。3、選擇各級(jí)熔體需相互配合，后一級(jí)要比**級(jí)小，總閘和各分支線路上電流不一樣，選擇熔絲也不一樣。4、根據(jù)線路電壓選擇熔斷器的額定電壓。5、交流異步電機(jī)保護(hù)熔體電流不能選擇太?。ńㄗh2~2.5倍電機(jī)的額定電流）。如選擇過(guò)