詞條
詞條說明
富士IGBT模塊概述富士IGBT模塊作為電力電子領(lǐng)域的高端功率器件,由全球知名半導(dǎo)體品牌富士電機(jī)傾力打造,憑借其卓越的性能和可靠性,已成為工業(yè)自動(dòng)化、新能源發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域的首選功率器件之一。作為一家專業(yè)代理國際知名品牌功率器件的企業(yè),我們深知富士IGBT模塊在市場(chǎng)上的重要地位,也了解客戶在選擇合適模塊時(shí)面臨的困惑。富士IGBT模塊采用先進(jìn)的技術(shù)工藝,具有極低的導(dǎo)通壓降和開關(guān)損耗,能有效減少
1. 熔斷器類型的選擇應(yīng)根據(jù)使用場(chǎng)合選擇熔斷器的類型。電網(wǎng)配電一般用刀型觸頭熔斷器;電動(dòng)機(jī)保護(hù)一般用螺旋式熔斷器;照明電路一般用圓筒帽形熔斷器;保護(hù)可控硅元件則應(yīng)選擇半導(dǎo)體保護(hù)用快速式熔斷器。2. 熔斷器規(guī)格的選擇1) 熔體額定電流的選擇(1) 對(duì)于變壓器、電爐和照明等負(fù)載,熔體的額定電流應(yīng)略大于或等于負(fù)載電流。(2) 對(duì)于輸配電線路,熔體的額定電流應(yīng)略大于或等于線路的安全電流。(3) 在電動(dòng)機(jī)回
一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有的功能區(qū)
在當(dāng)今電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心器件,正發(fā)揮著越來越重要的作用。作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),英飛凌科技公司生產(chǎn)的IGBT產(chǎn)品以其卓越的性能和可靠性,在工業(yè)自動(dòng)化、新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將深入探討英飛凌IGBT的主要作用及其在各行業(yè)中的關(guān)鍵應(yīng)用。一、英飛凌IGBT的基本特性與工作原理英飛凌IGBT是
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯(lián)系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機(jī): 18962647678
微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮(zhèn)富士康路932號(hào)
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網(wǎng) 址: qiwodz.cn.b2b168.com
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