詞條
詞條說(shuō)明
開(kāi)關(guān)電源MOS管上的電壓應(yīng)力越低,工作頻率就會(huì)越高。也就是說(shuō),輸入電壓越低,頻率就會(huì)越高。在開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中,電壓水平對(duì)于MOS管的交叉損耗有很大的影響??梢杂^察到開(kāi)關(guān)電源運(yùn)行到M級(jí)頻率,輸入電壓非常低。 對(duì)于全電壓,100k是可以的。不要從低頻率與高效率的角度來(lái)設(shè)計(jì)。事實(shí)上,這是不科學(xué)的。頻率低,每秒開(kāi)關(guān)次數(shù)少,開(kāi)關(guān)損耗小。但是,這是有前提的。前提就是要通過(guò)降低設(shè)計(jì)變壓器的頻率,可以直接地觀察到效率
關(guān)于開(kāi)關(guān)電源印制板布線的原則
線間距:在隨著開(kāi)關(guān)電源印制線路板制造工藝的不斷完善以及提高,一般的加工廠制造出線間距等于甚至于小于0.1毫米已經(jīng)是不存在什么問(wèn)題了,它們完**夠滿足大多數(shù)的應(yīng)用場(chǎng)合。但是考慮到開(kāi)關(guān)電源所采用的元件以及生產(chǎn)的工藝,一般的開(kāi)關(guān)電源雙面板較小線間距會(huì)設(shè)為0.3毫米,而開(kāi)關(guān)電源單面板較小的線間距則設(shè)為0.5毫米,焊盤與焊盤、焊盤與過(guò)孔及過(guò)孔與過(guò)孔之間,較小的間距要設(shè)為0.5毫米,這樣可以避免在焊接操作過(guò)程
頻率的選擇和開(kāi)關(guān)電源的關(guān)系
開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)頻率的合適選擇對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的效率這些方面是非常重要的。成良電源將會(huì)在這篇文章里和你們分享開(kāi)關(guān)電源需要在頻率的選擇上注意哪些。 開(kāi)關(guān)電源工作頻率的選擇 MOS管上的電壓應(yīng)力越低,工作頻率就會(huì)越高。也就是說(shuō),輸入電壓越低的話,頻率就會(huì)越高。在開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中,電壓水平對(duì)于MOS管的交叉損耗是有著非常大的影響。我們可以觀察到開(kāi)關(guān)電源運(yùn)行到M級(jí)頻率,輸入電壓很低。 對(duì)于全電壓來(lái)說(shuō),100k是可以的
簡(jiǎn)述開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的產(chǎn)生原理及控制技術(shù)(二)
空間分離 開(kāi)關(guān)電源空間分離它是抑制空間輻射騷擾以及開(kāi)關(guān)電源感應(yīng)耦合騷擾的有效方法,可以通過(guò)加大騷擾源以及接受器敏感設(shè)備之間的空間距離,讓騷擾電磁場(chǎng)到達(dá)敏感設(shè)備的時(shí)候的強(qiáng)度已經(jīng)衰減到了**接受設(shè)備敏感度門限,從而達(dá)到了抑制開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的目的。從電磁場(chǎng)理論可以知道,場(chǎng)強(qiáng)在近區(qū)感應(yīng)場(chǎng)當(dāng)中以1/r3的方式衰減,遠(yuǎn)區(qū)輻射場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)分布是按照1/r方式減小。所以,為了滿足系統(tǒng)的電磁兼容性要求,需要盡量把組成
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