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CR5221是內(nèi)置高壓功率MOS的電流控制芯片


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    詞條說明

  • MOS場效應(yīng)管種類和結(jié)構(gòu) 8N60

    MOS管種類和結(jié)構(gòu):? ? MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。? ??對于這兩種增強(qiáng)型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)

  • 啟達(dá)恒功率芯片CR1252P

    啟達(dá)恒功率芯片CR1252P是一款專為高效率電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)的集成電路,適用于各種電子設(shè)備,如充電器、電源適配器、LED燈等。它采用先進(jìn)的功率MOSFET技術(shù),具有高效率、低功耗、高可靠性等特點(diǎn),是電源管理領(lǐng)域的理想選擇。CR1252P的主要特點(diǎn)包括:1. 高效率:CR1252P采用先進(jìn)的電源管理技術(shù),通過精確的電壓和電流控制,實(shí)現(xiàn)高效率的電源轉(zhuǎn)換。與傳統(tǒng)的線性電源相比,它能夠顯著降低能源消耗,減少發(fā)

  • 如何正確選擇電源適配器的IC芯片

    需負(fù)電源時(shí)盡量采用電荷泵:多數(shù)便攜儀器中都需要負(fù)電源,電流需求不大,采用電荷泵IC組成電壓反轉(zhuǎn)電路為簡單,若要求噪聲小或要求輸出穩(wěn)壓時(shí),可采用帶LDO線性穩(wěn)壓器的電荷泵IC。避免選擇合適的IC芯片:一般來說電源IC的精度是±2%——±4%之間,有些精度高的可以達(dá)到±0.5%——±1%,合適的電源IC芯片不但可以減低成本而且還可以提升電路的穩(wěn)定性,如果的你電路沒有用到關(guān)閉電源功能、開關(guān)電源結(jié)構(gòu)中無微

  • 7812晶體管 廠家供應(yīng)

    7812晶體管 廠家供應(yīng)直流參數(shù)1:共射直流放大系數(shù)2:共基直流放大系數(shù)當(dāng) 可忽略時(shí), 。3:間的反向電流是發(fā)射開路時(shí),集電結(jié)的反向飽和電流。是基開路時(shí),集電與發(fā)射間的穿透電流, 。同一型號(hào)的管子,反向電流愈小,性能愈穩(wěn)定。選用管子時(shí), 與 應(yīng)盡量小。硅管比鍺管的間反向電流小2 3個(gè)數(shù)量級(jí),因此溫度穩(wěn)定性也比鍺管好。交流參數(shù)——是描述晶體管對于動(dòng)態(tài)信號(hào)的性能指標(biāo)1:共射交流電流放大系數(shù)

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