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MOS管STN2610 參數(shù) N60V 50A 應用于電子測量儀器 原廠庫存足 交貨快
STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術,提供優(yōu)良的RDS(ON)和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60v / 10.0a,RDS(上)= 10mΩ(典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a,RDS(上)= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設計較低的RDS(on)特殊的阻力和較大直流電流能力to-25
STC4301D原廠NP40V 23A可替代AOD609、AOD606、FKD4903
STANSON 閩臺司坦森原廠直銷 長期庫存充足,價格優(yōu)美,質量保證STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4說明STC4301d是采用高電池密度的n&p溝道增強模式電場效應晶體管dmos戰(zhàn)壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理,其
司坦森已經(jīng)建立了直接的技術支持團隊,戰(zhàn)略定位在美國、臺北和深圳。 我們提供完整的系統(tǒng)級支持,包括客戶板的設計和布局,為客戶快速投放市場的生產(chǎn)調試。我們經(jīng)驗豐富的本地技術人員包括現(xiàn)場銷售工程師,現(xiàn)場應用工程師,具有各種消費和工業(yè)產(chǎn)品設計的背景。 Stanson可以實時提供系統(tǒng)設計、具體應用建議和系統(tǒng)調試服務。我們努力成為我們的客戶,特別是在新產(chǎn)品開發(fā)領域的較佳合作伙伴。 Stanson has es
STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書 中文資料PDF
??溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si
公司名: 司坦森集成電路(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 唐二林
電 話: 13168017351
手 機: 13168017351
微 信: 13168017351
地 址: 廣東深圳福田區(qū)福田區(qū)福明路雷圳大廈2605
郵 編:
網(wǎng) 址: stansontech.cn.b2b168.com
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