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IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
熔斷器保險絲你了解嗎熔斷器又稱為保險絲,是用于保護電路的安全設備。它們安裝于各種供電設和負載之間,電流過高時便會觸發(fā)熔斷器工作(俗稱“燒斷”),把負載從電源中斷開,減低過流造成設備損壞甚至引起火災的風險。燒斷了的保險絲必須棄置并替換,這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復位的。不過保險絲價格便宜,而且容易替換。新的保險絲應該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險絲提供的安全機制使得它們成
晶閘管模塊也叫可控硅模塊,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中,多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業(yè)控制等都大量使用了可控硅器件,德國西門康可控硅模塊代替一下型號:SKKT15/12(16)E(
英飛凌IGBT模塊檢測方法 :測試方式:用萬用表只能測量,但不全面,若IGBT損壞一般可以測量出來,但是,若IGBT是好的,它無法肯定是好的。IGBT損壞標準:GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現二極管檔有讀數,即為損壞。(GE表示G接正表筆,E接負表筆;其它類同)IGBT的EC之間接有二極管,所以為導通狀態(tài),電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1
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