STANSON原廠現(xiàn)貨STP4435參數(shù)P30V 10A用于車燈 可替代Si9804、AO4419

時間：2020-01-05作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：500

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

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  詞條說明

• STANSON 貼片MOS STN442D 規(guī)格書N60V 37A 應用于按摩椅主板 原廠直銷交貨快

  STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用溝槽技術，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設備是適合作為負載開關或在應用程序使用。特征60V / 20.0a，RDS（上）= 24mΩ（典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a，RDS（上）= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度電池設計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力TO-2

• STP4925 SOP-8 P30V 7.2A stanson廠家大量現(xiàn)貨

  描述stp4925是雙P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯使用的是高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用，筆記本電腦電源管理，和其他電池供電的電路，高側開關特征-30V / -7.2a，RDS（上）= 20mΩ（典型值@ VGS = - 10V-30V / -5.6a，RDS（上）= 25mΩ@ VGS = 4.5v**高密度電池設計

• 司坦森/STANSON 細說MOS管

  一、什么是MOS管？MOS管全稱金屬—氧化物—半導體場效應晶體管或稱金屬—絕緣體—半導體場效應晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場效應管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應管。二、MOS管的構造。MOS管這個器件有兩個電極，分別是漏較D和源較S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個

• STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書 中文資料PDF

  ??溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si