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“中國(guó)制造2025”時(shí)代:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將強(qiáng)勢(shì)驟起
5月25日,*十三屆中國(guó)**半導(dǎo)體博覽會(huì)暨高峰論壇(IC China 2015)召開新聞發(fā)布會(huì)。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)執(zhí)行副理事長(zhǎng)兼秘書長(zhǎng)徐小田、中國(guó)電子器材總公司常務(wù)副總經(jīng)理陳雯海、上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)秘書長(zhǎng)蔣守雷等業(yè)界*人物出席,熱議中國(guó)制造2025之下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛躍發(fā)展的新機(jī)遇與新未來。 中國(guó)制造2025為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來新機(jī)遇 《中國(guó)制造2025》規(guī)劃剛于日前發(fā)布,將在國(guó)家層面部署、全面推
The HMC441-Die from Analog Devices is a RF Amplifier with Frequency 6 to 18 GHz, Gain 16.5 dB, Noise Figure 5 dB, P1dB 20 dBm, P1dB 0.1 W. Tags: Driver Amplifier. More details for HMC441-Die can be se
The HMC395-Die from Analog Devices is a RF Amplifier with Frequency DC to 4 GHz, Gain 15 dB, Noise Figure 4.5 dB, P1dB 16 dBm, P1dB 0.04 W. Tags: Gain Block, Driver Amplifier, Power Amplifier. More de
QPD1022DC - 12 GHz, 10 Watt, 32 V GaN RF TransistorKey FeaturesFrequency Range: DC - 12 GHzOutput Power (P3dB): 11.0 W at 2 GHzLinear Gain: 24.0 dB typical at 2 GHzTypical PAE3dB: 68.8 % at 2 GHzOpera
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