MTC模塊使用條件

時間：2020-01-05作者：西安瑞新電力電子有限責任公司瀏覽：139

西安瑞新電力電子有限責任公司專注于可控硅,晶閘管,整流二極管,整流模塊,水冷散熱器,晶閘管模塊,整流管模塊,風冷散熱器等

• 詞條

  詞條說明

• 從晶閘管燒壞部位如何判斷原因

  電壓擊穿與晶閘管表面燒壞的痕跡的關(guān)系一般情況下應該是鋁墊片或銀墊片先熔化，然后才是硅片和鉬片，而鋁墊片或銀墊片也不會小面積熔化，應該是所有有效面積的墊片都會熔化。鋁墊片或銀墊片熔化后一是有可能產(chǎn)生隔離層使陰極和陽極開路，二是鋁墊片或銀墊片高溫熔化后與硅片的接合部有可能材質(zhì)發(fā)生變化，產(chǎn)生絕緣的物質(zhì)，造成陰極、陽極開路的現(xiàn)象。那么電壓擊穿與晶閘管表面燒壞的痕跡(小黑點或大面積熔化)有什么關(guān)系呢? 1.

• 西安瑞新教您晶閘管的選型

  晶閘管是電機軟起動器、開關(guān)柜等中較關(guān)鍵的功率器件,整機裝置是否工作可靠與正確選擇晶閘管 額定電流、額定電壓等參數(shù)有很大的關(guān)系。 選型的原則應該首先考慮工作可靠性,即電流,電壓必須有足夠的余量倍數(shù)。 其次應考慮經(jīng)濟性即性價比, 最后應考慮安裝美觀,體積盡量減小等. 對于6kv,10kv的高壓電機,由于電壓高,所以需要將晶閘管反并聯(lián)后再串聯(lián)起來。6kv毎相需要6只 晶閘管(2只反并聯(lián)后,3組串聯(lián)),1

• di/dt在可控硅工作時注意事項

  di/dt--指可控硅通態(tài)電流臨界上升率。 隨著晶閘管在各類大功率感應加熱電源、變頻器、交流開關(guān)、電機控制、脈沖功率等領(lǐng)域的應用逐步擴大，越來越多的用戶對晶閘管器件提出了較高的電流上升率要求。 西安瑞新電力電子有限責任公司專業(yè)生產(chǎn)可控硅20年，通過優(yōu)化設計和嚴格的工藝控制，大大提升了器件的開通臨界電流上升率di/dt。經(jīng)測試，所生產(chǎn)的高頻、快速、普通系列可控硅di/dt性能均已達到國外同類產(chǎn)品水平

• MTC模塊使用條件

  一、模塊使用說明 ① 使用條件及注意事項： l 使用環(huán)境應無劇烈振動和沖擊，環(huán)境介質(zhì)中應無腐蝕金屬和破壞絕緣的雜質(zhì)和氣氛。 l 模塊管芯工作結(jié)溫：晶閘管為-40℃∽125℃，整流管為-40℃∽140℃；環(huán)境溫度不得**40℃；環(huán)境濕度小于86%。 l 模塊在使用**定要加裝散熱器，散熱器的選配見下節(jié)。散熱可采用自然冷卻、強迫風冷或水冷。強迫風冷時，風速應大于６米∕秒。 ② 安裝注意事項： l 由于