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可控硅元件—可控硅元件的結(jié)構(gòu) l?一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以**上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管較初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。 l?在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)較為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀
三相固態(tài)繼電器與三只單相單相固態(tài)繼電器選擇
? ? ? ?三相固態(tài)繼電器(SSR)均為過零型,即三相SSR只能作“開關(guān)”,不能作“調(diào)壓”。實際上三相SSR是把三個單相SSR做在一起,并用一個輸入端控制。對實際負(fù)載電流不大的場合,三相SSR使用起來比較方便,但電流大時發(fā)熱亦大,這時使用三只單相SSR較為可靠(因三只單獨分開比集中在一起散熱效果好,控制方法:三個輸入端可串聯(lián)或并聯(lián)),另外如負(fù)載短路造成SS
????? 雙向可控硅-伏安特性 ????? 單向可控硅 ????(1)反向特性 ????? 當(dāng)控制較開路,陽極加上反向電壓時,J2結(jié)正偏,但J1、J2結(jié)反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當(dāng)電壓進(jìn)一步提高
??? 雪崩二極管是利用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應(yīng)而產(chǎn)生負(fù)阻的固體微波器件。 ??? 雪崩擊穿是在電場作用下,載流子能量增大,不斷與晶體原子相碰,使共價鍵中的電子激發(fā)形成自由電子-空穴對。新產(chǎn)生的載流子又通過碰撞產(chǎn)生自由電子-空穴對,這就是倍增效應(yīng)。1生2,2生4,像雪崩一樣增加載流子。 齊納擊穿完全不同,在高的反
公司名: 武漢武整機電有限公司
聯(lián)系人: 王先生
電 話: 027-85667758
手 機: 18963951117
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地 址: 湖北武漢江夏區(qū)湖北省武漢市江夏區(qū)東湖**開發(fā)區(qū)光谷二路與高新五路交匯處北首地塊
郵 編: 430014
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