詞條
詞條說(shuō)明
常見(jiàn)的**級(jí)電容器有三種組成方式:串聯(lián)方式、并聯(lián)方式和串并混聯(lián)方式。串聯(lián)方式的**級(jí)電容器組件:由于**級(jí)電容器的單體工作電壓不高,不能覆蓋應(yīng)用工況的電壓需求范圍,需要將多個(gè)單體串聯(lián)來(lái)滿足應(yīng)用工況的電壓要求,但因單體電容器之間的固有差異,作用在串聯(lián)組件上的總電壓并不能均衡地分配給不同的電容器,它會(huì)導(dǎo)致電壓分配的不對(duì)稱。 并聯(lián)方式的**級(jí)電容:以并聯(lián)方式建構(gòu)的**級(jí)電容器組件可以輸出或接受很大的電流。在充電
無(wú)極性電解電容介質(zhì)吸收優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)分析
無(wú)極性電解電容體積小,價(jià)格低,高頻特性好,但它不適合做大容量。像瓷片電容、*石電容、聚乙烯(CBB)電容等都是,瓷片電容一般用在高頻濾波、震蕩電路中比較多。 磁介電容是以陶瓷材料為介子,并在表面燒上銀層作為電極的電容器。磁介電容器性能穩(wěn)定。損耗,漏電都很小,適合于高頻高壓電路中應(yīng)用。 一般而言,電容兩較間的絕緣材料,介電常數(shù)大的(如鐵電陶瓷,電解液)適合于制作 大容量小體積的電容,但損耗也大。介
從理論上來(lái)講(假設(shè)電容是純電容),電容值越大,阻抗值就越小,經(jīng)過(guò)的頻率也就高一些,但一般高過(guò)1uF的電容絕大部份是電解電容,其多半是電感的成份,所以頻率高阻抗反而會(huì)增大。 通常我們會(huì)看到一個(gè)電容量大的電解電容上會(huì)并聯(lián)一個(gè)小電容,這時(shí)就會(huì)是小電容通高頻,大電容通低頻,電容的作用就是通高頻阻低頻,電容越大低頻就月容***,一般用在濾波中,大電容(1000uF)濾低頻,小電容(20pF)濾高頻,曾經(jīng)有
晶片電阻又稱厚膜晶片電阻或金屬膜電阻和片式電阻,不管哪個(gè)各種名稱都是根據(jù)它的膜層厚度、形狀及膜層材料來(lái)區(qū)分 在這里,很多人都會(huì)誤以為厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻的區(qū)別在于膜的厚度,實(shí)際上厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻分別由它們代表的不同工藝特征來(lái)區(qū)分,比如說(shuō)厚膜晶片電阻利用絲網(wǎng)印刷將道題漿料和電阻漿料掩模在絕緣板上,制成相應(yīng)的圖形最后經(jīng)過(guò)加熱制作而成,薄膜晶片電阻則利用蒸發(fā)和濺射等制作技術(shù),兩者有這本
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