臺(tái)積電宣布10nm工藝完工 下一目標(biāo)是7nm/5nm

時(shí)間：2016-07-18作者：深圳芯易科技有限公司瀏覽：106

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• 臺(tái)積電宣布10nm工藝完工 下一目標(biāo)是7nm/5nm

  雖然臺(tái)積電在16nm FinFET工藝量產(chǎn)上略遜于英特爾、三星等成員，但在10nm的工藝上卻處于暫時(shí)良好的位置；日前，臺(tái)積電宣布10nmFinFET工藝已投入量產(chǎn)。 在不久前的股東會(huì)議上，臺(tái)積電高調(diào)公布了2016年二季度運(yùn)營及技術(shù)發(fā)展情況，并將資本支出提高至105億美元（比英特爾高出近5億美元），顯示出股東對(duì)公司未來的發(fā)展非常看好。 會(huì)議上，臺(tái)積電CEO劉德音公布了工藝進(jìn)展：已經(jīng)有三個(gè)客戶使用10

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