晶閘管的含義？

時(shí)間：2015-09-18作者：武漢武整機(jī)電有限公司瀏覽：107

武漢武整機(jī)電有限公司專注于可控硅,二極管,整流管,晶閘管,可控硅模塊,二極管模塊等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 三相固態(tài)繼電器與三只單相單相固態(tài)繼電器選擇

  ? ? ? ?三相固態(tài)繼電器（SSR）均為過(guò)零型，即三相SSR只能作“開關(guān)”，不能作“調(diào)壓”。實(shí)際上三相SSR是把三個(gè)單相SSR做在一起，并用一個(gè)輸入端控制。對(duì)實(shí)際負(fù)載電流不大的場(chǎng)合，三相SSR使用起來(lái)比較方便，但電流大時(shí)發(fā)熱亦大，這時(shí)使用三只單相SSR較為可靠（因三只單獨(dú)分開比集中在一起散熱效果好，控制方法：三個(gè)輸入端可串聯(lián)或并聯(lián)），另外如負(fù)載短路造成SS

• 快恢復(fù)二極管的性能特點(diǎn)

  ????? 反向恢復(fù)時(shí)間、 ????? 反向恢復(fù)時(shí)間（tr）的定義：電流通過(guò)零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為較大反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當(dāng)t≤t0時(shí)，正

• 為什么可控硅容易擊穿？

  為什么可控硅容易擊穿？ 很多企業(yè)都在使用可控硅，可是有些企業(yè)的可控硅特別容易燒壞呢？下面就由我為大家一一介紹可控硅被擊穿的各種原因： 1、過(guò)壓擊穿： 過(guò)壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對(duì)過(guò)壓的承受能力幾乎是沒(méi)有時(shí)間的，即使在幾毫秒的短時(shí)間內(nèi)過(guò)壓也會(huì)被擊穿的，因此實(shí)際應(yīng)用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無(wú)規(guī)則的干擾脈沖所引起的瞬間過(guò)壓。如果經(jīng)常發(fā)生可控硅擊穿，請(qǐng)檢查一

• 雙向可控硅的產(chǎn)品判別，測(cè)量方法和參數(shù)符號(hào)

  雙向可控硅-產(chǎn)品判別???????? 電路示意圖雙向可控硅等效于兩只單向可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2較，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2較，剩下則為控制較（G）。? 1、單、雙向可控硅的判別：先任測(cè)兩個(gè)較，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋），可能是